КИНЕТИКА МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ С МАГНИТНЫМИ АНОКЛАСТЕРАМИ

АННОТАЦИЯ

В данной работе представлены результаты экспериментальных исследований магнитосопротивления (МС) ионного марганца Si ( B,Mn) . При анализе экспериментальных данных наблюдался значительный гистерезис МС при комнатной температуре и увеличение ширины гистерезиса в сильных магнитных полях. По-видимому, причиной наблюдения гистерезиса такого поведения является наличие коэрцитивной силы при переориентации магнитных моментов нанокластеров марганца.

ABSTRACT

This paper presents the results of experimental studies of the magnetoresistance (MR) of ionic manganese Si ( B,Mn) . When analyzing the experimental data, a significant MR hysteresis was observed at room temperature and an increase in the hysteresis width in strong magnetic fields. Apparently, the reason for the observed hysteresis of this behavior is the presence of a coercive force during the reorientation of the magnetic moments of manganese nanoclusters.

Ключевые слова: гистерезис, марганец, температура, форсировка, сопротивление , магнитные поля .

Keywords: hysteresis, manganese, temperature, forcing, resistance, magnetic fields.

Представлены результаты экспериментального исследования магнетосопротивления (МС) образцов монокристаллического сильно компенсированного Si<В,Mn> ионноимплантированного марганцем.

Эксперименты были проведены в магнитных полях (0-15 kOe) при комнатной температуре по стандартной методике [1]. Простейший и самый распространенный вид МС связан с движением носителей заряда в магнитном поле (МС Лоренца) и сопротивление должно возрастать пропорционально квадрату напряженности магнитного поля. Это МС является положительным. Оно наблюдается во всех полупроводниках [2] и металлах[3]. МС в тонких неоднородных полупроводниковых пленках может отклоняться от квадратичного закона [4]. Отклонение может быть связано с тем, что структурный беспорядок и сильное легирование приводят к спин-зависимому рассеянию носителей заряда на анизотропных кластерах примеси которые вполне могут иметь магнитные моменты.

Кроме того, следует отметить, что деятельность торговых организаций как экономических систем зависит от влияния различных факторов как внутренней, так и внешней среды [5]. Результаты экспериментов по изучению магнитосопротивления образцов кремний, имплантированный ионы марганец данный на рис. один. Как кажется из рисунка магнитосопротивление положительное, также наблюдается кинетика магнитосопротивления при комнатной температуре (рис. 1) [6]. Магнитное сопротивление увеличивается Более Как внутри один с половиной раз а также достаточно до 25% внутри поток 45 минута в слабые магнитные поля H<0,7 кЭ. Такое поведение магнитосопротивления наблюдается в металлических диэлектрических нанокомпозитных материалах Fe/SiO2. [7].

В наших экспериментах наблюдался значительный гистерезис магнитосопротивления при комнатной температуре (рис. 2) [8,9]. Ширина гистерезиса увеличивалась при удерживании образцов внутри сильный магнит поля Н>10 кЭ поток Более Как 10 минута в комнатной температуре перед измерением МС. Сегодня мы постоянно следим за тем, как по всему миру появляются сотни новых услуг, открываются тысячи компаний, производящих новые продукты. [10,11].

Можно сказать, что полученные результаты указывают на существование магнитных кластеров с магнитными моментами, приводящими к спин-зависимому рассеянию. носители заряда. МС самоорганизуется, выдерживая образцы при комнатной температуре более 10 минут в сильных магнитных полях H>10 кЭ перед измерением. после Там взаимно ориентация между магнит минуты примесные кластеры а также трансформация на Более большой домены, который привести за увеличение; спин -зависимая диффузия носителей заряда размножения. Но этого магнитного поля недостаточно для магнитного взаимодействия внутри кластера, что приводит к появлению кинетики и гистерезиса. ЛЕДИ [12,13].

Рисунок 1. Кинетика магнитосопротивления образцов Si < B, Mn > при комнатной температуре

Рисунок 2. Гистерезис магнитного сопротивления при комнатной температуре

Из полученных результатов можно сделать следующие выводы:

• внутри образцы Si < В, Mn > принято метод как ион имплантация наблюдаемый ПМС в помещении более 25% температура;
• Образцы Si < B, Mn > при комнатной температуре и слабых магнитных полях ПМС;
• Основной причиной SMR является спин-зависимая диффузия носителей заряда из высокоспиновых магнитных нанокластеров. марганец;
• показывает конкуренцию между наблюдением за временной кинетикой ПМС тепловой беспорядок и упорядочение магнитных моментов высокоспиновых магнитных нанокластеров вдоль направления внешнего магнитного поля марганец;

Наблюдение гистерезиса при МС образцов свидетельствует о наличии коэрцитивной силы в переориентации магнитных моментов нанокластеров марганца, что обеспечивает необходимые условия для существования ферримагнетизма. Этапы [14,15].

В настоящее время отсутствует теоретическая модель, объясняющая происхождение ферримагнитного состояния высококомпенсированных образцов p–Si < B, Mn>.

Список литературы:

1. Karshibaev, S. A. (2022). EQUIPMENT AND SOFTWARE FOR MONITORING OF POWER SUPPLY OF INFOCOMUNICATION DEVICES. Web of Scientist: International Scientific Research Journal, 3(5), 502-505.
2. Khuzhayorov, B., Mustofoqulov, J., Ibragimov, G., Md Ali, F., & Fayziev, B. (2020). Solute Transport in the Element of Fractured Porous Medium with an Inhomogeneous Porous Block. Symmetry, 12(6), 1028.
3. Mustofoqulov, J. A., & Bobonov, D. T. L. (2021). “MAPLE” DA SO’NUVCHI ELEKTROMAGNIT TEBRANISHLARNING MATEMATIK TAHLILI. Academic research in educational sciences, 2(10), 374-379.
4. Mustofoqulov, J. A., Hamzaev, A. I., & Suyarova, M. X. (2021). RLC ZANJIRINING MATEMATIK MODELI VA UNI “MULTISIM” DA HISOBLASH. Academic research in educational sciences, 2(11), 1615-1621.
5. SATTAROV, S., KHAMDAMOV, B., & TAYLANOV, N. (2014). Diffusion regime of the magnetic flux penetration in high-temperature superconductors. Uzbekiston Fizika Zhurnali, 16(6), 449-453.
6. Yuldashev, F. M. Õ. (2021). TA'LIMNING INNOVATSION TEXNALOGIYALARI ASOSIDA MUQOBIL ENERGIYA MANBALARI (QUYOSH VA SHAMOL ENERGETIKASI) MUTAXASSISLARINI TAYYORLASHDA O'QITISH SAMARADORLIGINI OSHIRISH. Academic research in educational sciences, 2(11), 86-90.
7. Yuldashev, F., & Bobur, U. (2020). Types of Electrical Machine Current Converters. International Journal of Engineering and Information Systems (IJEAIS) ISSN, 162-164.
8. Бабанов, Д. Т., & Иняминов, Ю. А. (2020). ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СЛОЙНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ. Символ науки, (11), 9-13.
9. Иняминов, Ю. А., Хамзаев, А. И. У., & Абдиев, Х. Э. У. (2021). Передающее устройство асинхронно-циклической системы. Scientific progress, 2(6), 204-207.
10. Каршибоев, Ш. А., & Муртазин, Э. Р. (2021). Изменения в цифровой коммуникации во время глобальной пандемии COVID-19. Молодой ученый, (21), 90-92.
11. Муртазин, Э. Р., Сиддиков, М. Ю., & Цой, М. П. (2018). Стратегия развития экономики Узбекистана-региональные особенности. In Региональные проблемы преобразования экономики: интеграционные процессы и механизмы формирования и социально-экономическая политика региона (pp. 85-87).
12. Раббимов, Э. А., Жўраева, Н. М., & Ахмаджонова, У. Т. (2020). Исследование свойства поверхности монокристалла и создание наноразмерных структур на основе MgO для приборов электронной техники. Экономика и социум, (6-2), 190-192.
13. Сохибов, Б. О., Саттаров, С., & Таганова, С. Х. (2018). ВНЕДРЕНИЕ В УЧЕБНЫЙ ПРОЦЕСС ПЕРЕДОВЫХ МЕТОДОВ ПЕДАГОГОВ-НОВАТОРОВ. In Молодой исследователь: вызовы и перспективы (pp. 17-22).
14. Суярова, М. Х., & Джураева, Н. М. (2018). Динамическая модель по электротехнике. In Передовые научно-технические и социально-гуманитарные проекты в современной науке (pp. 53-54).
15. Умирзаков, Б. Е., Содикжанов, Ж. Ш., Ташмухамедова, Д. А., Абдувайитов, А. А., & Раббимов, Э. А. (2021). Влияние адсорбции атомов Ba на состав, эмиссионные и оптические свойства монокристаллов CdS. Письма в Журнал технической физики, 47(12), 3-5.